Samsung je proizveo prvi DDR4 memorijski modul koji pored brzine obećava i znatno bolju energetsku efikasnost
Samsung je predstavio DDR4 memorijske module izrađene u 30-nanometarskom proizvodnom procesu. Propusnost memorije je 2,133 Gbps pri naponu od 1,2 V, no proizvođač napominje kako je moguće postići i do 3,2 Gbps ukoliko se koristi napon od 1,6 V.
Za usporedbu, 30-nanometarski DDR3 moduli postižu 1,6 Gbps pri naponu od 1,35 do 1,5 V. Nove DDR4 memorije prilikom korištenja u prijenosnicima osigurat će do 40% manju potrošnju od DDR3 modula koji rade pri 1,5 V.
Samsung je već započeo s isporukama uzoraka DDR4 memorija ostalim proizvođačima, no masovna proizvodnja još uvijek nije najavljena.
sta reci na ovo evo sad naletio na netu,ako je vec bila tema onda LOck ova.